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BCR3AS-12中文资料Integrated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules: 250V数据手册MITSUBISHI规格书

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厂商型号

BCR3AS-12

参数属性

BCR3AS-12 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶闸管-TRIAC;产品描述:TRIAC 600V 3A MP3A

功能描述

Integrated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Modules: 250V

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

MITSUBISHI Mitsubishi Electric Semiconductor

中文名称

三菱电机 三菱电机株式会社

数据手册

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更新时间

2025-9-29 10:36:00

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技术参数

  • 产品编号:

    BCR3AS-12A-T13#B00

  • 制造商:

    Renesas Electronics America Inc

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶闸管 - TRIAC

  • 包装:

    管件

  • 双向可控硅类型:

    标准

  • 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):

    30A @ 60Hz

  • 配置:

    单路

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    MP-3A

  • 描述:

    TRIAC 600V 3A MP3A

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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