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BCR196W分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF中文资料

BCR196W
厂商型号

BCR196W

参数属性

BCR196W 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

功能描述

PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

封装外壳

SC-70,SOT-323

文件大小

34.91 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Siemens Semiconductor Group
企业简称

SIEMENS西门子

中文名称

德国西门子股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 17:48:00

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BCR196W规格书详情

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit

• Built in bias resistor (R1=47kΩ, R2=22kΩ)

产品属性

  • 产品编号:

    BCR196WH6327XTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    50 @ 5mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 500µA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT323

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
SMD
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