700V - 0.8A - Triac Low Power Use

文件：102.92 Kbytes 页数：4 Pages

RENESAS

瑞萨

NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array

文件：141.42 Kbytes 页数：7 Pages

INFINEON

英飞凌

丝印：WFs；Package：SOT363；NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array

文件：533.39 Kbytes 页数：7 Pages

INFINEON

英飞凌

NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array

文件：141.42 Kbytes 页数：7 Pages

INFINEON

英飞凌

NPN/PNP Silicon Digital Transistor Array

文件：533.39 Kbytes 页数：7 Pages

INFINEON

英飞凌

单向可控硅

WXDH

东海半导体

Triac Low Power Use

Triac Low Power Use •  IT (RMS): 0.8 A\n•  VDRM: 600 V\n•  IRGTI, IRGT III : 5 mA\n•  Planar Passivation Type;

Renesas

瑞萨

600V - 0.8A - Triac Low Power Use

Renesas

瑞萨

Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶闸管 - TRIAC 描述：TRIAC 600V 0.8A TO92-3

Renesas Electronics America Inc

Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶闸管 - TRIAC 描述：TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3

Renesas Electronics America Inc