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BC69-25PA	文件：266.58 Kbytes Page：24 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■Highcurrent ■Threecurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT10	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC69-25PA	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC69-25PAS	文件：1.02286 Mbytes Page：16 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC69-25PAS	文件：3.55399 Mbytes Page：15 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcollectorcurrentcapability ICandICM Threecurrentgainselections ReducedPrinted-CircuitBoard(PCB) arearequirements LeadlessverysmallSMDplastic packagewithmediumpowercapability *Exposedheatsinkforexcellentthermal andelectricalcond	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP69-25	文件：1.11315 Mbytes Page：24 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors Featuresandbenefits Highcurrent Threecurrentgainselections Highpowerdissipationcapability Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT1061) LeadlessverysmallSMDplasticpackagewithmediumpowercapability(SOT1061) AEC-Q101qualified	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BCP69-25	文件：523.52 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP69-25	文件：460.76 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BCP69-25	文件：266.58 Kbytes Page：24 Pages	20V,2APNPmediumpowertransistors Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■Highcurrent ■Threecurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT10	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCP69-25	文件：517.909 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP69-25	文件：94.93 Kbytes Page：13 Pages	20V,1APNPmediumpowertransistor Generaldescription PNPmediumpowertransistorseriesinSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackages. Featuresandbenefits ■Highcurrent ■Threecurrentgainselections ■Highpowerdissipationcapability ■Exposedheatsinkforexcellentthermalandelectricalconductivity(SOT89,SOT10	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BCP69-25	文件：43.8 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconAFTransistor PNPSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP68(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCP69-25	文件：136.39 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconAFTransistor(ForgeneralAFapplicationHighcollectorcurrentHighcurrentgain) PNPSiliconAFTransistor ●ForgeneralAFapplications ●Highcollectorcurrent ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytype:BCP68(NPN)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCP69-25	文件：43.74 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES ForAFdriversandoutputstages HighcollectorcurrentandLowVCE(sat) COMPLEMENTARYTYPEBCP68 PARTMARKINGDETAILBCP69 BCP69-25	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCP69-25	文件：45.28 Kbytes Page：8 Pages	PNPmediumpowertransistor DESCRIPTION PNPmediumpowertransistorinaSOT223plasticpackage.NPNcomplement:BCP68. FEATURES •Highcurrent(max.1A) •Lowvoltage(max.20V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Powerapplicationssuchasaudiooutputstages.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BCX69-25	文件：38.48 Kbytes Page：2 Pages	PNPSiliconAFTransistors Features ForgeneralAFapplications. Highcollectorcurrent. Highcurrentgain. Lowcollector-emittersaturationvoltage.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BCX69-25	文件：45.5 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytype:BCX68(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BCX69-25	文件：145.06 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconAFTransistors(ForgeneralAFapplicationsHighcollectorcurrent) •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytype:BCX68(NPN)	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BCX69-25	文件：16.79 Kbytes Page：1 Pages	PNPSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES *Highgainandlowsaturationvoltages COMPLEMENTARYTYPE–BCX68 PARTMARKINGDETAIL–BCX69–CJ BCX69-16–CG BCX69-25–CH	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BCX69-25	文件：225.46 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconAFTransistors	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 世纪微电子常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
BCX69-25	文件：533.37 Kbytes Page：7 Pages	PNPSiliconAFTransistors •ForgeneralAFapplications •Highcollectorcurrent •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Complementarytype:BCX68(NPN) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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详细参数

型号：
BCP69-25 T/R
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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