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BCP55中文资料PDF规格书

BCP55
厂商型号

BCP55

参数属性

BCP55 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 60V 1.5A SOT223-4

功能描述

NPN General Purpose Amplifier

文件大小

191.74 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-21 8:26:00

晶体管资料

  • 型号:

    BCP55

  • 别名:

    BCP55三极管、BCP55晶体管、BCP55晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-NPN

  • 性质:

    射频/高频放大 (HF)_功率放大 (L)

  • 封装形式:

    贴片封装

  • 极限工作电压:

    60V

  • 最大电流允许值:

    1A

  • 最大工作频率:

    130MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

  • 最大耗散功率:

    1.5W

  • 放大倍数:

    β=250

  • 图片代号:

    H-99

  • vtest:

    60

  • htest:

    130000000

  • atest:

    1

  • wtest:

    1.5

BCP55规格书详情

NPN General Purpose Amplifier

This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switching circuits requiring collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 38. See BCP54 for characteristics.

产品属性

  • 产品编号:

    BCP55

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    40 @ 150mA,2V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223-4

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 1.5A SOT223-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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