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BCP51中文资料BCP51: PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

厂商型号	BCP51
参数属性	BCP51 封装/外壳为TO-261-4，TO-261AA；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 45V 1.5A SOT223-4
功能描述	BCP51: PNP Epitaxial Silicon Transistor TRANS PNP 45V 1.5A SOT223-4
封装外壳	TO-261-4，TO-261AA
制造商	ONSEMI ON Semiconductor
中文名称	安森美半导体
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-27 15:03:00
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BCP51规格书详情

描述 Description

BCP51

特性 Features

该器件设计用于要求集电极电流达到1.0A的通用中等功率放大器和开关。
采用工艺77设计。

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

BCP51属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BCP51晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

技术参数

制造商编号
：BCP51
生产厂家
：ONSEMI
Compliance
：Pb-free
Status
： Active
Description
： PNP Epitaxial Silicon Transistor
Polarity
：PNP
Type
：General Purpose
VCE(sat) Max (V)
：Condition: IC = −500 mA
IC Cont. (A)
：1.5
VCEO Min (V)
：45
VCBO (V)
：45
VEBO (V)
：5
VBE(sat) (V)
：-
VBE(on) (V)
：1
hFE Min
：Condition: IC = -150mA
hFE Max
：Condition: IC = -150mA
fT Min (MHz)
：-
PTM Max (W)
：1
Package Type
：SOT-223-4 / TO-261-4

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