BCM857BV中文资料飞利浦数据手册PDF规格书
BCM857BV规格书详情
General description
NPN/NPN matched double transistors in small Surface-Mounted Device (SMD) plastic packages. The transistors are fully isolated internally.
特性 Features
■ Current gain matching
■ Base-emitter voltage matching
■ Drop-in replacement for standard double transistors
Applications
■ Current mirror
■ Differential amplifier
产品属性
- 型号：
BCM857BV
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 6-Pin
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
8735 |
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NEXPERIA/安世 |
24+ |
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恩XP |
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恩XP |
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恩XP |
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23+ |
SOT-666-6 |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
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SOT666 |
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23+ |
原厂原封 |
147000 |
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询价 |
