BC860BW中文资料Low Noise Transistor数据手册Infineon规格书

描述 Description

PNP Silicon AF Transistor

特性 Features

· For AF input stages and driver applications
· High current gain
· Low collector-emitter saturation voltage
· Low noise between 30 hz and 15 kHz
· Complementary types: BC847...-BC850... (NPN)
· Pb-free (RoHS compliant) package
· Qualified according AEC Q1011)

应用 Application

· For AF input stages and driver applications

简介

BC860BW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的BC860BW晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。