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BC860BW数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

BC860BW

参数属性

BC860BW 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323

功能描述

Low Noise Transistor
TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:16:00

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BC860BW规格书详情

描述 Description

PNP Silicon AF Transistor

特性 Features

· For AF input stages and driver applications
· High current gain
· Low collector-emitter saturation voltage
· Low noise between 30 hz and 15 kHz
· Complementary types: BC847...-BC850... (NPN)
· Pb-free (RoHS compliant) package
· Qualified according AEC Q1011)

应用 Application

· For AF input stages and driver applications

简介

BC860BW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC860BW晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BC860BW

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Polarity 

    :PNP (Single)

  • VCEO max

    :45.0V

  • Ptot max

    :250.0mW

  • hFE min max

    :220.0 475.0

  • IC max

    :100.0mA

  • IC 

    :100.0mA 

  • VCE 

    :5.0V 

  • VCBO max

    :50.0V

  • VEBO max

    :5.0V

  • ICM max

    :200.0mA

  • ICBO max

    :15.0nA

  • fT 

    :250.0MHz 

  • Mounting 

    :SMT

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