BC860BW数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
BC860BW |
参数属性 | BC860BW 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323 |
功能描述 | Low Noise Transistor |
封装外壳 | SC-70,SOT-323 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 23:16:00 |
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BC860BW规格书详情
描述 Description
PNP Silicon AF Transistor
特性 Features
· For AF input stages and driver applications
· High current gain
· Low collector-emitter saturation voltage
· Low noise between 30 hz and 15 kHz
· Complementary types: BC847...-BC850... (NPN)
· Pb-free (RoHS compliant) package
· Qualified according AEC Q1011)
应用 Application
· For AF input stages and driver applications
简介
BC860BW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC860BW晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
:BC860BW
- 生产厂家
:Infineon
- Polarity
:PNP (Single)
- VCEO max
:45.0V
- Ptot max
:250.0mW
- hFE min max
:220.0 475.0
- IC max
:100.0mA
- IC
:100.0mA
- VCE
:5.0V
- VCBO max
:50.0V
- VEBO max
:5.0V
- ICM max
:200.0mA
- ICBO max
:15.0nA
- fT
:250.0MHz
- Mounting
:SMT
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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