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| 1+ |
- 厂家型号：
BC858CDXV6T1G
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
873
- 产品封装：
N/A
- 生产批号：
2010+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-7-26 10:19:00
首页>BC858CDXV6T1G>详情
BC858CDXV6T1G_ONSEMI/安森美半导体_两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP艾宇欣
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号：
BC858CDXV6T1G
- 功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 30V Dual PNP
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
- VCBO：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO：
- 6 V
- 增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
- Min：
100 A
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2
供应商
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