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857-SERIES	文件：263.29 Kbytes Page：3 Pages	857SeriesHighTempCardEdgeConnector\|Black\|0.156(3.96mm)Pitch\|0.200(5.08mm)RowSpacing\|LowProfileInsulator Features 0.156(3.96mm)ContactSpacingby0.200(5.08mm)RowSpacing Accepts.062(1.57mm)NominalThicknessP.C.Board LowProfileInsulatorBody,0.473(12.01mm) ContactTerminationOptionsincludeP.C.Tail,WireHole,WireWrap,90andExtenderBoardBends SingleorDualRowConfiguratio	EDACEDAC, All Rights Reserved. 亚得电子亚得电子（东莞）有限公司	EDAC
AC857BQ	文件：433.82 Kbytes Page：7 Pages	PNPSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT23	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AC857BSQ	文件：316.02 Kbytes Page：5 Pages	45VDUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AC857CWQ	文件：337.98 Kbytes Page：5 Pages	45VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
AN857	文件：1.0244 Mbytes Page：6 Pages	SINGLE-CELLREGULATEDQ-PUMPDRAWSLOWQUIESCENTCURRENT	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
ATF857	文件：87.58 Kbytes Page：3 Pages	FASTSWITCHINGTHYRISTOR	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
B857	文件：32.67 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPNPTripleDiffused Application Lowfrequencypoweramplifiercomplementarypairwith2SD1133and2SD1134	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BA857F	文件：375.7 Kbytes Page：3 Pages	Motorspeedandphasecontrol	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
BB857	文件：13.66 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode(ForSAT-indoor-unitsHighcapacitanceratioLowseriesinductance) SiliconTuningDiode •ForSAT-indoor-units •Highcapacitanceratio •Lowseriesinductance •Lowseriesresistance •ExtremelysmallplasticSMDpackage •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure	SIEMENSSiemens Ltd 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BB857	文件：405.59 Kbytes Page：3 Pages	SiliconTuningDiode SiliconTuningDiode •ForSATtuners •Highcapacitanceratio •Lowseriesresistance •Excellentuniformityandmatchingduetoin-linematchingassemblyprocedure •Pb-free(RoHScompliant)package	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB857	文件：76.24 Kbytes Page：7 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BB857	文件：881.67 Kbytes Page：8 Pages	SiliconTuningDiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC857	文件：476.22 Kbytes Page：4 Pages	PNPgeneralpurposeTransistor FEATURES ●Lowcurrent.(max.100mA) ●Lowvoltage.(max.65v) APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandamplification.	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
BC857	文件：439.49 Kbytes Page：1 Pages	Amplifiers&Switches Amplifiers&Switches Bipolar:GeneralPurpose	AMMSEMI American Microsemiconductor	AMMSEMI
BC857	文件：1.62608 Mbytes Page：3 Pages	PNPTransistors	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC857	文件：84.71 Kbytes Page：3 Pages	SILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL CDIL	CDIL
BC857	文件：525.12 Kbytes Page：3 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC857	文件：164.69 Kbytes Page：10 Pages	PNPgeneralpurposetransistors	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC857	文件：145.7 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC857	文件：1.37311 Mbytes Page：5 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors	JINGHENG Jinan Jing Heng Electronics Co., Ltd.	JINGHENG

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详细参数

型号：
BC857CW RF
功能描述：
两极晶体管 - BJT Transistor 200mW
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC857CW RF供应商更新时间2024-6-21 16:18:00

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