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BC857BWT1G

ONSOT323

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BC857BWT1G

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BC857BWT1G

ON/安森美NA

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BC857BWT1G

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BC857BWT1

onsemiSC-70-3(SOT323)

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BC857BWT1

onsemiSC-70-3(SOT323)

11543

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BC857BWT1

ONSEMI/安森美SOT-23

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BC857BWT1

ONSC703EUTS

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BC857BWT1

onsemiSC-70 SOT-323

9350

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BC857BWT1

ON/安森美SMD

100500

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BC857BWT1

ONSEMI/安森美SOT-23

90000

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BC857BWT1

ON SEMICONDUCTOR全新原装

8960

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深圳市威雅利发展有限公司

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BC857BWT1

MOTOROLATSSOP-14

8000

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深圳市安罗世纪电子有限公司

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BC857BWT1

ON SEMICONDUCTORSMD

29778

2023+

安罗世纪电子只做原装正品货

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BC857BWT1G

ON(安森美)标准封装

19048

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BC857BWT1G

onsemi(安森美)SC-70-3

20948

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BC857BWT1G

onsemi(安森美)SC-70-3

21000

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BC857BWT1G

ONSC70-3

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深圳市威尔健半导体有限公司

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BC857BWT1G

ON/安森美NA

120000

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BC857BWT1G贴片三极管

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BC857BWT1G价格

BC857BWT1G价格：￥0.0862品牌：ONSemi

生产厂家品牌为ONSemi的BC857BWT1G多少钱，想知道BC857BWT1G价格是多少？参考价：￥0.0862。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，BC857BWT1G批发价格及采购报价，BC857BWT1G销售排行榜及行情走势，BC857BWT1G报价。

BC857BWT1G贴片三极管中文资料Alldatasheet PDF

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BC857BWT1功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC857BWT1G功能描述:两极晶体管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    BC857BWT1

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    卷带（TR）

  • 晶体管类型：

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    650mV @ 5mA，100mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    15nA（ICBO）

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    220 @ 2mA，5V

  • 频率 - 跃迁：

    100MHz

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    表面贴装型

  • 封装/外壳：

    SC-70，SOT-323

  • 供应商器件封装：

    SC-70-3（SOT323）

  • 描述：

    TRANS PNP 45V 0.1A SC70-3

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