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BC857BM中文资料45V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor数据手册Galaxy规格书

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厂商型号

BC857BM

参数属性

BC857BM 封装/外壳为3-XFDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT883

功能描述

45V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor

封装外壳

3-XFDFN

制造商

Galaxy CHANGZHOU GALAXY CENTURY MICROELECTRONICS CO.,LTD.

中文名称

银河微电 常州银河世纪微电子股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 8:58:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BC857BM

  • 生产厂家

    :Galaxy

  • AEC Qualified

    :NO

  • Pb Free

    :YES

  • Halide free

    :YES

  • Reach

    :YES

  • RoHS

    :YES

  • Marketing Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • V(BR)CEO(V)min.

    :45

  • IC(A)

    :0.1

  • hFEmin.

    :220

  • hFEmax.

    :475

  • VCE (sat)(V)

    :0.65

  • IB(mA)

    :5

  • fT(MHz)min.

    :100

  • PD(W)max.

    :0.265

  • TJ(°C)max.

    :150

  • TJ(°C)min.

    :-55

  • ECCN(US)

    :EAR99

  • Category

    :双极型晶体管

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