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BC856W-Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BC856W-Q
厂商型号

BC856W-Q

参数属性

BC856W-Q 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 65V 0.1A SOT323

功能描述

65 V, 100 mA PNP general-purpose transistors

丝印标识

3D

封装外壳

SOT323 / SC-70,SOT-323

文件大小

229.32 Kbytes

页面数量

13

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-28 19:59:00

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BC856W-Q规格书详情

1. General description

PNP general-purpose transistors in a very small SOT323 (SC-70), Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

Table 1. Product overview

Type number Package

Nexperia JEDEC

NPN complement

BC856W-Q BC846W-Q

BC856AW-Q BC846AW-Q

BC856BW-Q BC846BW-Q

BC857W-Q BC847W-Q

BC857AW-Q BC847AW-Q

BC857BW-Q BC847BW-Q

BC857CW-Q BC847CW-Q

BC858W-Q

SOT323 SC-70

BC848W-Q

2. Features and benefits

• Low current (max. 100 mA)

• Low voltage (max. 65 V)

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

• General-purpose switching and amplification

产品属性

  • 产品编号:

    BC856W-QX

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    125 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-70,SOT-323

  • 供应商器件封装:

    SOT-323

  • 描述:

    TRANS PNP 65V 0.1A SOT323

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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