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BC856T分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BC856T
厂商型号

BC856T

参数属性

BC856T 封装/外壳为SC-75,SOT-416;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS PNP 65V 0.1A SC75

功能描述

PNP general purpose transistors
TRANS PNP 65V 0.1A SC75

文件大小

153.92 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

nxp恩智浦

中文名称

恩智浦半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-16 14:30:00

BC856T规格书详情

DESCRIPTION

PNP transistor in an SC-75 plastic package.

NPN complements: BC846T and BC847T.

FEATURES

• Low current (max. 100 mA)

• Low voltage (max. 65 V).

APPLICATIONS

• General purpose switching and amplification especially in portable equipment.

BC856T属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。恩智浦半导体公司制造生产的BC856T晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    BC856T,115

  • 制造商:

    NXP USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    125 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    SC-75,SOT-416

  • 供应商器件封装:

    SC-75

  • 描述:

    TRANS PNP 65V 0.1A SC75

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