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BC856S	文件：42.71 Kbytes Page：6 Pages	PNPSiliconAFTransistorArray(ForAFinputstagesanddriverapplicationsHighcurrentgainLowcollector-emittersaturationvoltage) •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Two(galvanic)internalisolatedTransistorswithhighmatchinginonepackage	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC856S	文件：50.82 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposedoubletransistor DESCRIPTION PNPdoubletransistorinanSC-88(SOT363)plasticsixleadpackage. FEATURES •Twotransistorsinonepackage •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors. APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandsmal	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC856S	文件：108.83 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarDouble-Transistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC856S	文件：42.04 Kbytes Page：1 Pages	PNPGeneralPurposeDoubleTransistor Features •Twotransistorsinonepackage •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC856S	文件：94.24 Kbytes Page：12 Pages	65V,100mAPNP/PNPgeneral-purposetransistor Generaldescription PNP/PNPgeneral-purposetransistorpairinaverysmallSOT363(SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features Lowcollectorcapacitance Lowcollector-emittersaturationvoltage Closelymatchedcurrentgain Reducesnumberofcomponentsand	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC856S	文件：849.35 Kbytes Page：10 Pages	PNPSiliconAFTransistorArrays	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC856S	文件：468.14 Kbytes Page：3 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors200mW Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Multi-chipTransistor •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivi	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC856S	文件：488.12 Kbytes Page：2 Pages	Powerdissipation,plasticcase,Weightapprox SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation300mW •PlasticcaseSOT-363 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
BC856S	文件：288.03 Kbytes Page：4 Pages	DUALTRANSISTOR(PNPPNP) DUALTRANSISTOR(PNP+PNP) FEATURES •Twotransistorsinonepackage •Reducesnumberofcomponentsandboardspace •Nomutualinterferencebetweenthetransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
BC856S	文件：179.68 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposePNPTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec

详细参数

型号：
BC856CTC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多BC856CTC供应商更新时间2025-5-22 11:40:00

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