BC856BWT1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	BC856BWT1
参数属性	BC856BWT1 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
功能描述	General Purpose Transistors(PNP Silicon) TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3
封装外壳	SC-70，SOT-323
文件大小	178.5 Kbytes
页面数量	8 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-12-14 16:59:00
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BC856BWT1规格书详情

BC856BWT1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由安森美半导体制造生产的BC856BWT1晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

General Purpose Transistors

PNP Silicon

These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT–323/SC–70 which is designed for low power surface mount applications.

产品属性

产品编号：
BC856BWT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
220 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SC-70-3（SOT323）
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A SC70-3

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