BC856AW分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料

厂商型号	BC856AW
参数属性	BC856AW 封装/外壳为SC-70，SOT-323；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
功能描述	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR TRANS PNP 65V 0.1A SOT323
封装外壳	SC-70，SOT-323
文件大小	124.31 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	DIODES
中文名称	美台半导体
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-3 19:26:00
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BC856AW规格书详情

BC856AW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由美台半导体制造生产的BC856AW晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

特性 Features

• Ideally Suited for Automated Insertion

• Complementary NPN Types Available (BC846W-BC848W)

• For Switching and AF Amplifier Applications

• Lead Free/RoHS Compliant (Note 3)

• Green Device (Note 4 and 5)

产品属性

产品编号：
BC856AW-7-F
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
125 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-70，SOT-323
供应商器件封装：
SOT-323
描述：
TRANS PNP 65V 0.1A SOT323

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