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BC849W	文件：48.43 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT323plasticpackage. PNPcomplements:BC859WandBC860W. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Lownoisestagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC849W	文件：229.84 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors NPNSiliconAFTransistors ●ForAFinputstagesanddriverapplications ●Highcurrentgain ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Lownoisebetween30Hzand15kHz ●Complementarytypes:BC856W,BC857W,BC858W,BC859W,BC860W(PNP)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
BC849W	文件：260.269 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forgeneralpurposeandswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC849W	文件：958.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC849W	文件：330.41 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V).	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BC849W	文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BF849	文件：82.04 Kbytes Page：3 Pages	PNPSILICONRFTRANSISTORS	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BT849AKPF	文件：1.14923 Mbytes Page：141 Pages	Single-ChipVideoCaptureforPCI [Conexant] Bt848isacomplete,lowcostsingle-chipsolutionforanalogNTSC/PAL/SECAMvideocaptureonthePCIbus.Asabusmaster,Bt848doesnotrequireanylocalmemorybufferstostorevideopixeldatawhichsignificantlyminimizesthehardwarecostforthisarchitecture.Bt848takesa	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
FZT849	文件：39.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconPlanarHighCurrent(HighPerformance)Transistor Features ●Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36mΩat5A. ●7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak). ●Verylowsaturationvoltages. ●Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp. ●Ptot=3Watts.	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
FZT849	文件：60.52 Kbytes Page：3 Pages	NPNSILICONPLANARHIGHCURRENT(HIGHPERFORMANCE)TRANSISTOR FEATURES Extremelylowequivalenton-resistance;RCE(sat)36mΩat5A 7Ampcontinuouscollectorcurrent(20Amppeak) Verylowsaturationvoltages Excellentgaincharateristicsspecifiedupto20Amp *Ptot=3Watts	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex

详细参数

型号：
BC849CTA
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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