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BC848CLT1	文件：160.4 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V − Machine Model: >400 V 文件：160.4 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CLT1	文件：183.42 Kbytes Page：4 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：183.42 Kbytes 页数：4 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
BC848CLT1	文件：220.78 Kbytes Page：6 Pages	CASE 318-08, STYLE 6 SOT-23 (TO-236AB) General Purpose Transistors NPN Silicon 文件：220.78 Kbytes 页数：6 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
BC848CLT1G	文件：178.21 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: > 4000 V ESD Rating − Machine Model: > 400 V • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：178.21 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CLT1G	文件：160.4 Kbytes Page：6 Pages	General Purpose Transistors(NPN Silicon) General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V − Machine Model: >400 V 文件：160.4 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CLT1G	文件：137.31 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: > 4000 V ESD Rating − Machine Model: > 400 V • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：137.31 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CLT3G	文件：137.31 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: > 4000 V ESD Rating − Machine Model: > 400 V • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：137.31 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CLT3G	文件：178.21 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: > 4000 V ESD Rating − Machine Model: > 400 V • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：178.21 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
BC848CLT1G	文件：116.72 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors 文件：116.72 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
BC848CLT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3

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