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BC848AWT1	文件：185.37 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BC848AWT1	文件：147.54 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC848AWT1	文件：207.09 Kbytes Page：6 Pages	CASE419-02,STYLE3SOT-323/SC-70 GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSOT–323/SC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
LBC848AWT1	文件：155.35 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC848AWT1G	文件：284.28 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LBC848AWT1G	文件：1.01285 Mbytes Page：9 Pages	GeneralPurposeTransistorsNPNSilicon	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
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详细参数

型号：
BC848AWT1G
功能描述：
两极晶体管 - BJT 100mA 30V NPN
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC848AWT1G供应商更新时间2025-7-21 16:30:00

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