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BC848AW	文件：671.73 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
BC848AW	文件：334.98 Kbytes Page：5 Pages	NPNTransistor FEATURES -Lowreversecurrent,highreliability -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC848AW	文件：909.22 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlasticEncapsulateTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
BC848AW	文件：236.02 Kbytes Page：6 Pages	NPNTransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
BC848AW	文件：130.039 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC848AW	文件：126.13 Kbytes Page：2 Pages	SMDGeneralPurposeNPNTransistors	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
BC848AW	文件：1.84399 Mbytes Page：13 Pages	NPNSiliconEpitaxialGeneralPurposeTransistors	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
BC848AW	文件：446.64 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
BC848AW-G	文件：129.77 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalTransistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BC848AW-G	文件：135.09 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalTransistor Features -Powerdissipation PCM:0.15W(@TA=25°C) -Collectorcurrent ICM:0.1A -Collector-basevoltage VCBO:BC846W=80V BC847W=50V BC848W=30V	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP

详细参数

型号：
BC848ATC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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