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BC847PNQ数据手册Diodes中文资料规格书

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厂商型号

BC847PNQ

功能描述

COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL TRANSISTOR

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-11 20:00:00

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BC847PNQ规格书详情

描述 Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.

特性 Features

BVCEO>45V
IC = 100mA Continuous Collector Current
ICM = 200mA Peak Pulse Current
Two Internally Isolated NPN/PNP Transistors in a package
Ultra-Small Surface Mount Package

应用 Application

Medium Power Amplification and Switching

技术参数

  • 制造商编号

    :BC847PNQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :NPN + PNP

  • IC

    :0.1 A

  • ICM

    :0.2 A

  • PD

    :0.2 W

  • hFE

    :200 Min

  • hFE (@ IC)

    :0.002 A

  • hFE (Min 2)

    :-

  • hFE (@ IC2)

    :N/A A

  • VCE (SAT) Max

    :250 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)

    :0.1/5

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :600 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.01/0.5

  • fT

    :100 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT363

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