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BC847C-Q分立半导体产品晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

BC847C-Q
厂商型号

BC847C-Q

参数属性

BC847C-Q 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB

功能描述

45 V, 100 mA NPN general-purpose transistors
TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB

文件大小

226.26 Kbytes

页面数量

12

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-26 23:00:00

BC847C-Q规格书详情

Features and benefits

• General-purpose transistors

• SMD plastic packages

• Three different gain selections

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

BC847C-Q属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个。安世半导体(中国)有限公司制造生产的BC847C-Q晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

产品属性

  • 产品编号:

    BC847C-QVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, BC847x-Q

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    400mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    420 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 45V 0.1A TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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