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BC846BPN中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

BC846BPN

功能描述

65 V, 100 mA NPN/PNP general-purpose transistor

丝印标识

PJ

封装外壳

TSSOP6

文件大小

303.65 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 9:23:00

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BC846BPN规格书详情

Features and benefits

• Low collector capacitance

• Low collector-emitter saturation voltage

• Closely matched current gain

• Reduces number of components and board space

• No mutual interference between the transistors

产品属性

  • 型号:

    BC846BPN

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT TRANSISTOR 56BS/SOT363/

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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