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BC846B中文资料BC846B: Dual NPN Bipolar Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

BC846B

参数属性

BC846B 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3

功能描述

BC846B: Dual NPN Bipolar Transistor
TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-28 22:59:00

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BC846B规格书详情

描述 Description

The Dual NPN Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-363/SC-88, which is designed for low power surface mount applications.

特性 Features

Device Marking:BC846BDW1T1 = 1BBC847BDW1T1 = 1FBC847CDW1T1 = 1GBC848BDW1T1 = 1KBC848CDW1T1 = 1L
Pb-Free Package is Available
S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable

简介

BC846B属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC846B晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    BC846B

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    SOT-23

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    200 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    -65°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3

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