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BC817UPN数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

BC817UPN

功能描述

General Purpose Transistor

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-13 22:50:00

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BC817UPN规格书详情

描述 Description

NPN Silicon AF Transistor Array

特性 Features

·High current gain
·Low collector-emitter saturation voltage
·Two (galvanic) internal isolated NPN/PNP transistors in one package
·Pb-free (RoHS compliant) package
·Qualified according AEC Q101

应用 Application

·For AF stages and driver applications

技术参数

  • 制造商编号

    :BC817UPN

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Polarity 

    :NPN/PNP (Dual)

  • VCEO max

    :45.0V

  • Ptot max

    :330.0mW

  • hFE min max

    :160.0 400.0

  • IC max

    :500.0mA

  • IC 

    :500.0mA 

  • VCE 

    :1.0V 

  • VCBO max

    :50.0V

  • VEBO max

    :5.0V

  • ICM max

    :1000.0mA

  • ICBO max

    :100.0nA

  • fT 

    :170.0MHz 

  • VCE(sat) max

    :0.7V

  • Mounting 

    :SMT

  • IBM max

    :200.0mA

  • Package 

    :P-SC74-6-1

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