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BC817-25Q中文资料300V NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BC817-25Q

参数属性

BC817-25Q 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3

功能描述

300V NPN TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR IN SOT223
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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BC817-25Q规格书详情

描述 Description

This Bipolar Junction Transistor (BJT) is designed to meet the stringent requirements of Automotive Applications.

特性 Features

BVCEO > 45V
IC = 0.5A Continuous Collector Current
ICM = 1A Peak Pulse Current

应用 Application

For switching and AF Amplifier Applications
Ideally Suited for Automatic Insertion

简介

BC817-25Q属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的BC817-25Q晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BC817-25Q

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :Yes

  • Product Type

    :NPN

  • IC

    :0.5 A

  • ICM

    :1 A

  • PD

    :0.31 W

  • hFE

    :160 Min

  • hFE (@ IC)

    :0.1 A

  • hFE (Min 2)

    :100

  • hFE (@ IC2)

    :0.3 A

  • VCE (SAT) Max

    :700 mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB2) (A/m A) (A/m A)

    :N/A

  • VCE (SAT) (Max.2)

    :N/A mV

  • VCE (SAT) (@ IC/IB) (A/m A)

    :0.5/50

  • fT

    :100 MHz

  • RCE(SAT)

    :N/A mΩ

  • Packages

    :SOT23

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