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CTN637	文件：81.67 Kbytes Page：4 Pages	ComplementaryTransistorsinPlasticPackageforDriverStageofAudioAmplifier CTN635,637,639NPNSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS CTN636,638,640PNPSILICONPLANAREPITAXIALTRANSISTORS	CDIL Continental Device India Limited	CDIL
DC-637	文件：134.3 Kbytes Page：1 Pages	3.0WATTSINGLE&DUALOUTPUTDC-DCCONVERTERS	INTRONICS Intronics Power, Inc.	INTRONICS
FDC637AN	文件：240.68 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,2.5VSpecifiedPowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-Channel2.5VspecifiedMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductorsadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainlowgatechargeforsuperiorswitchingperformance. Thesedeviceshavebeendesigned	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC637AN	文件：1.03816 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDC637BNZ	文件：403.14 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel2.5VSpecifiedPowerTrench짰MOSFET20V,6.2A,24m廓	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDC637BNZ	文件：1.037819 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FTP-637MCL	文件：207.24 Kbytes Page：3 Pages	THERMO-SENSITIVEPAPER	FujitsuFujitsu Component Limited. 富士通富士通株式会社	Fujitsu
GWU637	文件：151.59 Kbytes Page：3 Pages	UniversalWi-FiNTransmitter-EthernettoWi-FiN300Mbps	IOGEAR iogear	IOGEAR
HC-637M	文件：358.21 Kbytes Page：6 Pages	HybridAssembliesOPTICRECEIVERMODULES	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
HMC637	文件：609.88 Kbytes Page：8 Pages	GaAsMESFETMMIC1WATTPOWERAMPLIFIER,DC-6GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite

详细参数

型号：
BC637_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT TO-92 NPN GP AMP
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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