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HMC559	文件：951.86 Kbytes Page：11 Pages	TelecomInfrastructure GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	MICROSS Micross Components	MICROSS
HMC559	文件：306.07 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-20GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC559	文件：404.64 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-20.0GHz GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC559	文件：429.42 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER GeneralDescription TheHMC559isaGaAsMMICPHEMTDistributedPowerAmplifierdiewhichoperatesbetweenDCand20GHz.Theamplifierprovides14dBofgain,+36dBmoutputIP3and+28dBmofoutputpowerat1dBgaincompressionwhilerequiring400mAfroma+10Vsupply.Gainflatnessissl	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC559	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	ActiveBiasControllerHighCurrent	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HN559	文件：370.43 Kbytes Page：5 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFapplications??? PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandAFapplications.	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
JC559	文件：44.43 Kbytes Page：8 Pages	PNPgeneralpurposetransistor DESCRIPTION PNPtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.30V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification •Low-noiseinputstagesintaperecorders,hi-fiamplifiersandotheraudio-frequencyequipment.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
K559	文件：49.8 Kbytes Page：1 Pages	HIGHSPEEDPOWERSWITCHING SILICONN-CHANNELMOSFET HIGHSPEEDPOWERSWITCHING	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
KRA559E	文件：89.52 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors ●SimplifyCircuitDesign ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRA559U	文件：89.86 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors ●SimplifyCircuitDesign ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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产品属性

产品编号：
BC559CBU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
650mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
420 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
150MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
供应商器件封装：
TO-92-3
描述：
TRANS PNP 30V 0.1A TO92-3

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