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BC337-25	文件：65.67 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337-25	文件：82.68 Kbytes Page：6 Pages	AmplifierTransistors AmplifierTransistorsNPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable*	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337-25	文件：25.27 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier SwitchingandAmplifierApplications •SuitableforAF-Driverstagesandlowpoweroutputstages •ComplementtoBC327/BC328	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC337-25	文件：140.47 Kbytes Page：2 Pages	Si-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeSi-EpitaxialPlanarTransistors •Powerdissipation625mW •PlasticcaseTO-92(10D3) •Weightapprox.0.18g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedinammopack	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
BC337-25	文件：150.8 Kbytes Page：6 Pages	NPNSiliconAFTransistors(HighcurrentgainHighcollectorcurrentLowcollector-emittersaturationvoltage) ●Highcurrentgain ●Highcollectorcurrent ●Lowcollector-emittersaturationvoltage ●Complementarytypes:BC327,BC328(PNP)	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
BC337-25	文件：47.16 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistor DESCRIPTION NPNtransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. PNPcomplement:BC327. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification, e.g.driverandoutputstagesofaudioamplifiers.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC337-25	文件：163.58 Kbytes Page：4 Pages	AmplifierTransistor TheLM337isanadjustable3–terminalnegativevoltageregulatorcapableofsupplyinginexcessof1.5Aoveranoutputvoltagerangeof–1.2Vto–37V.Thisvoltageregulatorisexceptionallyeasytouseandrequiresonlytwoexternalresistorstosettheoutputvoltage.Further,itemploysi	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC337-25G	文件：70.03 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSILICON	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC337-25G	文件：65.67 Kbytes Page：5 Pages	AmplifierTransistorsNPNSilicon	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CC337-25	文件：226.57 Kbytes Page：2 Pages	TO-92PlasticPackageTransistors(NPN)	CDIL Continental Device India Limited	CDIL

详细参数

型号：
BC337-25,112
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS GP BULK STR LEAD
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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