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深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemiTO-92-3

18746

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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onsemiTO-92-3

18798

25+

正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐

深圳市腾亿芯科技有限公司

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CJ/长电TO-92

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原装

深圳市纳福半导体有限公司

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FAIRCHILDTO-92

5800

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原装现货,欢迎来电咨询

深圳市凯睿晟科技有限公司

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6年 留言

CJ/长电TO-92

30000

21+

百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票

深圳市盈慧通电子有限公司

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长电TO-92

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电子元器件采购降本 30%!砍掉中间差价!

深圳市创新迹电子有限公司

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长电TO-92

20000

22+

公司只有原装 品质保证

芯有半导体(深圳)有限公司

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NSC原厂原装

2051

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只做全新原装真实现货供应

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CJ/长电原厂原封装

86720

26+

全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔

洪芯国际半导体(深圳)有限公司

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CJ/长电原厂原封装

86720

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全新原装正品价格最实惠 假一赔百

深圳市信科微科技有限公司

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长电TO-92

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原厂渠道 可含税出货,支持一站式配单

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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onsemiTO-226-3 TO-92-3 标准主体(!-

9350

26+

独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证

深圳市联世界科技有限公司

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PHI

2000

24+/25+

原装正品现货库存价优

深圳市卓越微芯电子有限公司

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原厂

700

25+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市正迈科技有限公司

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FSC/ON原包装原封 □□

1803

26+

原装进口特价供应 特价,原装元器件供应,支持开发样品 更多详细咨询 库存

深圳市佳芯扬电子有限公司

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PHINA

12000

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深圳市威雅利发展有限公司

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NSCTSSOP-14

8000

25+

原厂原包装,终端BOM表可配单

深圳市高捷芯城科技有限公司

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onsemiTO-92-3

20948

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深圳市得捷芯城科技有限公司

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深圳市川科科技有限公司

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DIODES-美台E-LIE

18800

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BC327A功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -60V -500mA HFE/400 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC327A_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP GENERAL PURPOSE TO92 XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC327A_J35Z功能描述:两极晶体管 - BJT PNP GEN PURP XTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC327A_Q功能描述:两极晶体管 - BJT PNP -60V -500mA HFE/4 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC327ABU功能描述:两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

BC327ATR制造商:PHI 功能描述:PHILIPS S1A10F

产品属性

  • 产品编号:

    BC327A

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    700mV @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PNP 45V 0.8A TO92-3