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BC327-040G分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

| 厂商型号 | BC327-040G | 
| 参数属性 | BC327-040G 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 长体;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 45V 0.8A TO92 | 
| 功能描述 | Amplifier Transistors | 
| 封装外壳 | TO-226-3,TO-92-3 长体 | 
| 文件大小 | 147.6 Kbytes | 
| 页面数量 | 5 页 | 
| 生产厂商 | ONSEMI | 
| 中文名称 | 安森美半导体 | 
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-10-31 8:10:00 | 
| 人工找货 | BC327-040G价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 | 
BC327-040G规格书详情
BC327-040G属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体制造生产的BC327-040G晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
Amplifier Transistors
PNP Silicon
特性 Features
• Pb−Free Packages are Available*
产品属性
更多- 产品编号:BC327-040G 
- 制造商:onsemi 
- 类别:分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 
- 包装:散装 
- 晶体管类型:PNP 
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):700mV @ 50mA,500mA 
- 电流 - 集电极截止(最大值):100nA 
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):250 @ 100mA,1V 
- 频率 - 跃迁:260MHz 
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 
- 安装类型:通孔 
- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 长体 
- 供应商器件封装:TO-92(TO-226) 
- 描述:TRANS PNP 45V 0.8A TO92 
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 | 
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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