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DG309AK	文件：51.77 Kbytes Page：4 Pages	Quad,SPSTAnalogSwitches GeneralDescription TheDG308A/DG309arequad,single-pole-single-throw(SPST)analogswitches.TheDG308Aisnormallyopen(SPST,NO),whiletheDG309isnormallyclosed(SPST,NC).Bothpartsfeaturefastswitchingspeedsandlowonresistanceovertheanalogrange.Otherfeaturesincludeat	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DG309B	文件：117.55 Kbytes Page：8 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches Description TheDG308B/309Banalogswitchesarehighlyimprovedversionsoftheindustry-standardDG308A/309.ThesedevicesarefabricatedinVishaySiliconix’proprietarysilicongateCMOSprocess,resultinginloweron-resistance,lowerleakage,higherspeed,andlowerpowerconsumption.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309B	文件：196.31 Kbytes Page：15 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309B	文件：248.67 Kbytes Page：15 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches FEATURES •±22Vsupplyvoltagerating •CMOScompatiblelogic •Lowon-resistance-RDS(on):45 •Lowleakage-ID(on):20pA •Singlesupplyoperationpossible •Extendedtemperaturerange •Fastswitching-tON:	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309B	文件：132.7 Kbytes Page：10 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches Description TheDG308B/309Banalogswitchesarehighlyimprovedversionsoftheindustry-standardDG308A/309.ThesedevicesarefabricatedinVishaySiliconix’proprietarysilicongateCMOSprocess,resultinginloweron-resistance,lowerleakage,higherspeed,andlowerpowerconsumption.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309BAK	文件：117.55 Kbytes Page：8 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches Description TheDG308B/309Banalogswitchesarehighlyimprovedversionsoftheindustry-standardDG308A/309.ThesedevicesarefabricatedinVishaySiliconix’proprietarysilicongateCMOSprocess,resultinginloweron-resistance,lowerleakage,higherspeed,andlowerpowerconsumption.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309BDJ	文件：117.55 Kbytes Page：8 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches Description TheDG308B/309Banalogswitchesarehighlyimprovedversionsoftheindustry-standardDG308A/309.ThesedevicesarefabricatedinVishaySiliconix’proprietarysilicongateCMOSprocess,resultinginloweron-resistance,lowerleakage,higherspeed,andlowerpowerconsumption.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309BDJ	文件：196.31 Kbytes Page：15 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309BDJ	文件：132.7 Kbytes Page：10 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches Description TheDG308B/309Banalogswitchesarehighlyimprovedversionsoftheindustry-standardDG308A/309.ThesedevicesarefabricatedinVishaySiliconix’proprietarysilicongateCMOSprocess,resultinginloweron-resistance,lowerleakage,higherspeed,andlowerpowerconsumption.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309BDQ	文件：196.31 Kbytes Page：15 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309BDQ	文件：132.7 Kbytes Page：10 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches Description TheDG308B/309Banalogswitchesarehighlyimprovedversionsoftheindustry-standardDG308A/309.ThesedevicesarefabricatedinVishaySiliconix’proprietarysilicongateCMOSprocess,resultinginloweron-resistance,lowerleakage,higherspeed,andlowerpowerconsumption.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309BDQ	文件：117.55 Kbytes Page：8 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches Description TheDG308B/309Banalogswitchesarehighlyimprovedversionsoftheindustry-standardDG308A/309.ThesedevicesarefabricatedinVishaySiliconix’proprietarysilicongateCMOSprocess,resultinginloweron-resistance,lowerleakage,higherspeed,andlowerpowerconsumption.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309BDY	文件：117.55 Kbytes Page：8 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches Description TheDG308B/309Banalogswitchesarehighlyimprovedversionsoftheindustry-standardDG308A/309.ThesedevicesarefabricatedinVishaySiliconix’proprietarysilicongateCMOSprocess,resultinginloweron-resistance,lowerleakage,higherspeed,andlowerpowerconsumption.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309BDY	文件：132.7 Kbytes Page：10 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches Description TheDG308B/309Banalogswitchesarehighlyimprovedversionsoftheindustry-standardDG308A/309.ThesedevicesarefabricatedinVishaySiliconix’proprietarysilicongateCMOSprocess,resultinginloweron-resistance,lowerleakage,higherspeed,andlowerpowerconsumption.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309BDY	文件：196.31 Kbytes Page：15 Pages	ImprovedQuadCMOSAnalogSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309C/	文件：51.77 Kbytes Page：4 Pages	Quad,SPSTAnalogSwitches GeneralDescription TheDG308A/DG309arequad,single-pole-single-throw(SPST)analogswitches.TheDG308Aisnormallyopen(SPST,NO),whiletheDG309isnormallyclosed(SPST,NC).Bothpartsfeaturefastswitchingspeedsandlowonresistanceovertheanalogrange.Otherfeaturesincludeat	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DG309CJ	文件：163.16 Kbytes Page：11 Pages	QuadMonolithicSPSTCMOSAnalogSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309CJ	文件：52.98 Kbytes Page：5 Pages	QuadMonolithicSPSTCMOSAnalogSwitches Description Featuringlowon-resistance(60)andfastswitching(130ns),theDG308Aissuppliedinthe“normallyopen”configurationwhileDG309issupplied“normallyclosed.”InputthresholdsarehighvoltageCMOScompatible. Features ±15-VAnalogInputRange LowOn-Resistance:6	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309CJ	文件：99.4 Kbytes Page：6 Pages	QuadMonolithicSPSTCMOSAnalogSwitches	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
DG309CJ	文件：51.77 Kbytes Page：4 Pages	Quad,SPSTAnalogSwitches GeneralDescription TheDG308A/DG309arequad,single-pole-single-throw(SPST)analogswitches.TheDG308Aisnormallyopen(SPST,NO),whiletheDG309isnormallyclosed(SPST,NC).Bothpartsfeaturefastswitchingspeedsandlowonresistanceovertheanalogrange.Otherfeaturesincludeat	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim

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详细参数

型号：
BC309BTA_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/46
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多BC309BTA_Q供应商更新时间2024-6-10 10:48:00

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