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施耐德施耐德电气

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FEATURES ●Surgeoverloadrating-50amperespeak ●Lowforwardvoltagedrop ●Smallsize;simpleinstallation ●Tinnedcopperleads ●Mountingposition:Any ●Mounting:Thruholefor#6screw

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YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd

扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司

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FORMOSAFormosa MS

美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司

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COMCHIPComchip Technology

典琦典琦科技股份有限公司

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OptiMOS??P3Optimos??2SmallSignalTransistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    BC308_Q

  • 功能描述:

    两极晶体管 - BJT PNP -25V -100mA HFE/8

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO:

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    100 A

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    PowerFLAT 2 x 2

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更多BC308_Q供应商 更新时间2025-5-18 14:30:00