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BC213L中文资料300mW PNP silicon planar epitaxial transistor数据手册Micro Electronics规格书

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厂商型号

BC213L

参数属性

BC213L 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 0.5A TO92-3

功能描述

300mW PNP silicon planar epitaxial transistor

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

制造商

Micro Electronics Micro Electronics

数据手册

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更新时间

2025-9-22 16:11:00

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技术参数

  • 产品编号:

    BC213L

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    600mV @ 5mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    15nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 2mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    200MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 0.5A TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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