BBY51分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)规格书PDF中文资料

厂商型号 |
BBY51 |
参数属性 | BBY51 封装/外壳为SC-80;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器);产品描述:DIODE TUNING 7V 20MA SCD80 |
功能描述 | Silicon Tuning Diode |
丝印标识 | |
封装外壳 | SOT23 / SC-80 |
文件大小 |
100.16 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | Infineon Technologies AG |
企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-26 14:16:00 |
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BBY51规格书详情
BBY51属于分立半导体产品的二极管-可变电容(变容器可变电抗器)。由英飞凌科技股份公司制造生产的BBY51二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类,并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小,并且能够用作可变电容二极管,但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。
Silicon Tuning Diode
• High Q hyperabrupt tuning diode
• Designed for low tuning voltage operation
• For VCO's in mobile communications equipment
• Pb-free (RoHS compliant) package1)
• Qualified according AEC Q101
产品属性
更多- 产品编号:
BBY5102WH6327XTSA1
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容(变容器,可变电抗器)
- 包装:
卷带(TR)
- 不同 Vr、F 时电容:
3.7pF @ 4V,1MHz
- 电容比条件:
C1/C4
- 二极管类型:
单路
- 工作温度:
-55°C ~ 125°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
SC-80
- 供应商器件封装:
SCD-80
- 描述:
DIODE TUNING 7V 20MA SCD80
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INF |
24+ |
SOT23 |
80000 |
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询价 | ||
INFINEON |
20+ |
SOT23 |
32970 |
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询价 | ||
Infieon |
23+ |
SOT-23 |
8650 |
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INFINEON/英飞凌 |
21+ |
SOD323 |
9800 |
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Infineon(英飞凌) |
22+ |
NA |
7000 |
原厂原装现货 |
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SIEMENS |
23+ |
5780 |
询价 | ||||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
20000 |
全新、原装、现货 |
询价 | |||
Infineon和Siemens 待确认 |
24+ |
5000 |
原装现货,特价销售 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SM-2P |
8000 |
原装正品支持实单 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
SOT23 |
3200 |
全新原装、诚信经营、公司现货销售 |
询价 |