BB659C分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BB659C |
| 参数属性 | BB659C 封装/外壳为SC-79，SOD-523；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）；产品描述：DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79 |
| 功能描述 | Silicon Variable Capacitance Diode |
| 封装外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 文件大小 |
405.55 Kbytes |
| 页面数量 |
3 页 |
| 生产厂商 | INFINEON |
| 中文名称 | 英飞凌 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-22 23:00:00 |
| 人工找货 | BB659C价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
BB659C规格书详情
BB659C属于分立半导体产品的二极管-可变电容（变容器可变电抗器）。由英飞凌科技股份公司制造生产的BB659C二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）可变电容二极管可按照电子可变电容器用途进行生产和分类，并且广泛用于调谐和频率合成应用。虽然大多数二极管的结电容都随着所施加的反向偏压增加而减小，并且能够用作可变电容二极管，但专门作为此类器件销售的产品在生产和分类时特别考虑了这种用途。
Silicon Variable Capacitance Diode
• For tuning of extended frequency band in VHF TV / VTR tuners
• High capacitance ratio
• Low series inductance
• Low series resistance
• Excellent uniformity and matching due to in-line matching assembly procedure
• Pb-free (RoHS compliant) package1)
• Qualified according AEC Q101
产品属性
更多- 产品编号：
BB659C02VH7912XTSA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
- 包装：
卷带（TR）
- 不同 Vr、F 时电容：
2.75pF @ 28V，1MHz
- 电容比条件：
C1/C28
- 二极管类型：
单路
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SC-79，SOD-523
- 供应商器件封装：
PG-SC79-2
- 描述：
DIODE VAR CAP 30V 20MA SC79
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7348 |
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INFINEON |
2016+ |
SOD523 |
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Infineon |
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