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BT149	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BT149B	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BT149D	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BT149D	文件：316.01 Kbytes Page：13 Pages	SCR	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BT149E	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BT149G	文件：42.7 Kbytes Page：6 Pages	Thyristorslogiclevel GENERALDESCRIPTION Glasspassivated,sensitivegatethyristorsinaplasticenvelope,intendedforuseingeneralpurposeswitchingandphasecontrolapplications.Thesedevicesareintendedtobeinterfaceddirectlytomicrocontrollers,logicintegratedcircuitsandotherlowpowergatetrigger	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BT149G	文件：316.12 Kbytes Page：13 Pages	SCR	WEENWeEn Semiconductors 瑞能半导体瑞能半导体科技股份有限公司	WEEN
BTS149	文件：309.41 Kbytes Page：10 Pages	SmartLowsidePowerSwitch GeneralDescription NchannelverticalpowerFETinSmartSIPMOS®chiponchiptechnology.Fullyprotectedbyembeddedprotectedfunctions. Features •LogicLevelInput •InputProtection(ESD) •Thermalshutdownwithlatch •Overloadprotection •Shortcircuitprotection •Overvoltagepro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
C-149A-DFB-PB-S	文件：601.14 Kbytes Page：5 Pages	CWDMSeriesLaserDiodeModule(18channel)	SOURCE SourceBoost Technologies	SOURCE
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产品属性

产品编号：
BB149,115
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 可变电容（变容器，可变电抗器）
包装：
托盘
不同 Vr、F 时电容：
2.25pF @ 28V，1MHz
电容比条件：
C1/C28
二极管类型：
单路
工作温度：
-55°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SC-76，SOD-323
供应商器件封装：
SOD-323
描述：
DIODE UHF VAR CAP 30V SOD323

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	BB149,115	PHA			6000		询价
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更多BB149,115供应商更新时间2024-5-31 16:30:00

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