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BAW101V数据手册分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF

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厂商型号

BAW101V

参数属性

BAW101V 封装/外壳为SOT-563,SOT-666;包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 325V 250MA SOT563

功能描述

switching diode

封装外壳

SOT-563,SOT-666

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-14 15:48:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :BAW101V

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Standard (Q on Request)

  • Configuration

    :Dual

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating (mW)

    :500 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :325 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :50 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)

    :250 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :8 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :0

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :0.15 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :250 V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :300

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :2 pF

  • VF(V) Max @ IF=10mA

    :0.855

  • VF(V) Max @ IF=100mA

    :1

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :150nA@250V

  • Packages

    :SOT563

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