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BAV199WQ中文资料DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE数据手册Diodes规格书

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厂商型号

BAV199WQ

参数属性

BAV199WQ 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODES ARRAY GP 100V SOT323

功能描述

DUAL SURFACE MOUNT LOW LEAKAGE DIODE
DIODES ARRAY GP 100V SOT323

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-1 14:15:00

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BAV199WQ规格书详情

描述 Description

Dual surface mount low leakage diode.

特性 Features

Surface Mount Package Ideally Suited for Automated Insertion
Ultra-Low Leakage Current
High-Precision Instrumentation

应用 Application

Mobile Phones
Portable and Consumer Electronics

简介

BAV199WQ属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的BAV199WQ二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAV199WQ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive supports PPAP)

    :Automotive

  • Configuration

    :Dual

  • Polarity

    :Anode

  • Power Rating (mW)

    :200 mW

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No Y/N

  • Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)

    :85 V

  • Reverse Recovery Time trr (ns)

    :3000 ns

  • Maximum Average Rectifier Current IO (mA)

    :160 mA

  • Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)

    :4 A

  • Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)

    :0.9

  • Maximum ReverseCurrent IR (µA)

    :0.005 µA

  • Maximum Reverse Current IR @ VR (V)

    :75 V

  • V(BR)R (V) Min (µA)

    :85

  • TotalCapacitance CT (pF)

    :2 pF

  • VF(V) Max @ IF=1.0mA

    :0.715

  • VF(V) Max @ IF=10mA

    :0.855

  • IR(uA) Max @ VR=80V

    :5nA@75V

  • Packages

    :SOT323

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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