BAV170中文资料switching diode数据手册Diodes规格书

厂商型号	BAV170
参数属性	BAV170 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT23-3
功能描述	switching diode DIODE ARRAY GP 85V 125MA SOT23-3
封装外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
制造商	Diodes Diodes Incorporated
中文名称	美台半导体
数据手册	原厂下载下载地址下载地址二
更新时间	2025-10-1 19:09:00
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BAV170规格书详情

简介

BAV170属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由制造生产的BAV170二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管，并增加了“二极管配置”属性，该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意，具有全桥配置的阵列被专门排除在外，并列为单独的产品系列。

技术参数

制造商编号
：BAV170
生产厂家
：Diodes
Compliance (Only Automotive supports PPAP)
：Standard (Q on Request)
Configuration
：Dual
Polarity
：Anode
Power Rating (mW)
：250 mW
ESD Diodes (Y|N)
：No Y/N
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V)
：85 V
Reverse Recovery Time trr (ns)
：3000 ns
Maximum Average Rectifier Current IO (mA)
：215 mA
Maximum Peak Forward Surge Current IFSM (A)
：4 A
Forward Voltage Drop VF @ IF (mA)
：0
Maximum ReverseCurrent IR (µA)
：0.005 µA
Maximum Reverse Current IR @ VR (V)
：75 V
V(BR)R (V) Min (µA)
：85
TotalCapacitance CT (pF)
：2 pF
VF(V) Max @ IF=100mA
：1.27
IR(uA) Max @ VR=80V
：5nA@75V
Packages
：SOT23

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