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BAT6804E6327HTSA1数据手册分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF

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厂商型号

BAT6804E6327HTSA1

参数属性

BAT6804E6327HTSA1 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3

功能描述

肖特基二极管与整流器 Silicon Schottky Diodes 8V 130mA
DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-18 14:31:00

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BAT6804E6327HTSA1规格书详情

简介

BAT6804E6327HTSA1属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的BAT6804E6327HTSA1二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

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  • 产品编号:

    BAT6804E6327HTSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基 - 1 对串联

  • 电压 - 峰值反向(最大值):

    8V

  • 不同 Vr、F 时电容:

    1pF @ 0V,1MHz

  • 不同 If、F 时电阻:

    10 欧姆 @ 5mA,10kHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    PG-SOT23

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 8V 150MW SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON TECHNOLOGIES AG
2118+
原厂封装
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Infineon(英飞凌)
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INFINEON/英飞凌
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3000
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