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BAT62中文资料RF 混频器和探测器肖特基二极管数据手册Infineon规格书

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厂商型号

BAT62

参数属性

BAT62 封装/外壳为0201(0603 公制);包装为散装;类别为分立半导体产品的二极管-射频;产品描述:DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSSLP-2

功能描述

RF 混频器和探测器肖特基二极管
DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSSLP-2

封装外壳

0201(0603 公制)

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-3 23:43:00

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BAT62规格书详情

描述 Description

硅肖特基二极管

特性 Features

• 适用于高达 GHz 频率探测器的低势垒二极管
• 无铅(符合 RoHS 标准)封装

简介

BAT62属于分立半导体产品的二极管-射频。由制造生产的BAT62二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件,只允许一个方向通过电流,而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型,反向电压范围为 1 至 15,000 V,电流范围为 10 mA 至 20A。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :BAT62

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IFmax

    :20 mA

  • VF

    :0.4 V

  • VFmax

    :1000 mV

  • VRmax

    :40 V

  • Configuration

    :Reverse anti-parallel pair

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