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BAT62分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

厂商型号	BAT62
参数属性	BAT62 封装/外壳为0201（0603 公制）；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSSLP-2
功能描述	Silicon Schottky Diode DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSSLP-2
封装外壳	0201（0603 公制）
文件大小	519.15 Kbytes
页面数量	9 页
生产厂商	Infineon
中文名称	英飞凌
网址	网址
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-16 23:10:00
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BAT62规格书详情

BAT62属于分立半导体产品的二极管-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的BAT62二极管 - 射频射频二极管是一种双端子半导体器件，只允许一个方向通过电流，而限制反方向的电流。该系列器件用于射频匹配电路以进行电子调谐。二极管类型包括 PIN 型、肖特基型和标准型，反向电压范围为 1 至 15,000 V，电流范围为 10 mA 至 20A。

Silicon Schottky Diode

• Low barrier diode for detectors up to GHz frequencies

产品属性

产品编号：
BAT6202LSE6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
散装
二极管类型：
肖特基 - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：
40V
不同 Vr、F 时电容：
0.6pF @ 0V，1MHz
工作温度：
150°C（TJ）
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
PG-TSSLP-2-1
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSSLP-2

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