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BAT62分立半导体产品的二极管-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号	BAT62
参数属性	BAT62 封装/外壳为0201（0603 公制）；包装为散装；类别为分立半导体产品的二极管-射频；产品描述：DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSSLP-2
功能描述	Silicon Schottky Diode (Low barrier diode for detectors up to GHz frequencies.)
封装外壳	0201（0603 公制）
文件大小	79.17 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	SIEMENS
中文名称	西门子
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-11-16 23:10:00
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BAT62规格书详情

Silicon Schottky Diode

● Low barrier diode for detectors up to GHz frequencies.

产品属性

产品编号：
BAT6202LSE6327XTSA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 射频
包装：
散装
二极管类型：
肖特基 - 单
电压 - 峰值反向（最大值）：
40V
不同 Vr、F 时电容：
0.6pF @ 0V，1MHz
工作温度：
150°C（TJ）
封装/外壳：
0201（0603 公制）
供应商器件封装：
PG-TSSLP-2-1
描述：
DIODE SCHOTTKY 40V 100MW TSSLP-2

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