BAS45A中文资料Low-leakage diode数据手册Nexperia规格书

厂商型号 |
BAS45A |
参数属性 | BAS45A 封装/外壳为DO-204AG,DO-34,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 125V 250MA DO34 |
功能描述 | Low-leakage diode |
封装外壳 | DO-204AG,DO-34,轴向 |
制造商 | Nexperia Nexperia B.V. |
中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-10-13 15:32:00 |
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BAS45A规格书详情
描述 Description
Epitaxial medium-speed switching diode with a low leakage current in a hermetically-sealed glass SOD68 (DO-34) package.
特性 Features
• Continuous reverse voltage: max. 125 V
• Repetitive peak forward current: max. 625 mA
• Low reverse current: max. 1 nA
• Switching time: typ. 1.5 µs.
应用 Application
• Low leakage current applications.
技术参数
- 产品编号:
BAS45A,133
- 制造商:
Nexperia USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管类型:
标准
- 电流 - 平均整流 (Io):
250mA
- 速度:
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
- 不同 Vr、F 时电容:
4pF @ 0V,1MHz
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
DO-204AG,DO-34,轴向
- 供应商器件封装:
DO-34
- 工作温度 - 结:
175°C(最大)
- 描述:
DIODE GEN PURP 125V 250MA DO34
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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