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BAS45A分立半导体产品的二极管-整流器-单规格书PDF中文资料

BAS45A
厂商型号

BAS45A

参数属性

BAS45A 封装/外壳为DO-204AG,DO-34,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:DIODE GEN PURP 125V 250MA DO34

功能描述

Low-leakage diode

封装外壳

DO-204AG,DO-34,轴向

文件大小

34.19 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 NXP Semiconductors
企业简称

Philips飞利浦

中文名称

荷兰皇家飞利浦官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-20 23:00:00

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BAS45A规格书详情

DESCRIPTION

Epitaxial medium-speed switching diode with a low leakage current in a small SOT23 plastic SMD package.

FEATURES

• Plastic SMD package

• Low leakage current: typ. 3 pA

• Switching time: typ. 0.8 µs

• Continuous reverse voltage: max. 75 V

• Repetitive peak reverse voltage: max. 85 V

• Repetitive peak forward current: max. 500 mA.

APPLICATION

• Low leakage current applications in surface mounted circuits.

产品属性

  • 产品编号:

    BAS45A,133

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    250mA

  • 速度:

    标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    4pF @ 0V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AG,DO-34,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-34

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 125V 250MA DO34

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