BAS35中文资料通用高电压二极管数据手册ONSEMI规格书

| 厂商型号 |
BAS35 |
| 参数属性 | BAS35 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23 |
| 功能描述 | 通用高电压二极管 |
| 封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-25 20:14:00 |
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BAS35规格书详情
描述 Description
采用工艺1H设计的通用高电压二极管。 如需相关特性,请参见MMBD1401。
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
BAS35属于分立半导体产品的二极管-整流器-阵列。由ONSEMI制造生产的BAS35二极管 - 整流器 - 阵列二极管和整流器阵列系列中的产品可在单个封装内包含两个或多个分立二极管。其特征表述类似于单个分立二极管,并增加了“二极管配置”属性,该属性指示设备中二极管之间任何内部连接的存在情况和特性。请注意,具有全桥配置的阵列被专门排除在外,并列为单独的产品系列。
技术参数
更多- 制造商编号
:BAS35
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Configuration
:Dual & Common Anode
- VR Min (V)
:120
- VF Max (V)
:1
- IR Max (µA)
:0.1
- IF Max (A)
:0.2
- trr Max (ns)
:50
- CD Max (pF)
:35
- Package Type
:SOT-23-3
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