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BAS35分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

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厂商型号

BAS35

参数属性

BAS35 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

功能描述

General purpose controlled avalanche double diodes

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

90.99 Kbytes

页面数量

12

生产厂商

PHI

中文名称

飞利浦

数据手册

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更新时间

2026-4-19 15:52:00

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BAS35规格书详情

DESCRIPTION

General purpose switching diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in small rectangular plastic SMD SOT23 packages.

The BAS29 consists of a single diode.

The BAS31 has two diodes in series.

The BAS35 has two diodes with a common anode.

FEATURES

• Small plastic SMD package

• Switching speed: max. 50 ns

• General application

• Continuous reverse voltage:

max. 90 V

• Repetitive peak reverse voltage:

max. 110 V

• Repetitive peak forward current:

max. 600 mA

• Repetitive peak reverse current:

max. 600 mA.

APPLICATIONS

• General purpose switching in e.g.

surface mounted circuits.

产品属性

  • 产品编号:

    BAS35

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    1 对共阳极

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

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