BAS35分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
BAS35 |
| 参数属性 | BAS35 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列；产品描述：DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23 |
| 功能描述 | General purpose controlled avalanche double diodes |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
90.99 Kbytes |
| 页面数量 |
12 页 |
| 生产厂商 | PHI |
| 中文名称 | 飞利浦 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-4-19 23:01:00 |
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BAS35规格书详情
DESCRIPTION
General purpose switching diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in small rectangular plastic SMD SOT23 packages.
The BAS29 consists of a single diode.
The BAS31 has two diodes in series.
The BAS35 has two diodes with a common anode.
FEATURES
• Small plastic SMD package
• Switching speed: max. 50 ns
• General application
• Continuous reverse voltage:
max. 90 V
• Repetitive peak reverse voltage:
max. 110 V
• Repetitive peak forward current:
max. 600 mA
• Repetitive peak reverse current:
max. 600 mA.
APPLICATIONS
• General purpose switching in e.g.
surface mounted circuits.
产品属性
- 产品编号：
BAS35
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 二极管配置：
1 对共阳极
- 二极管类型：
标准
- 电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）：
200mA
- 速度：
小信号 =< 200mA（Io），任意速度
- 工作温度 - 结：
150°C（最大）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23
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