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BAS31分立半导体产品的二极管-整流器-阵列规格书PDF中文资料

BAS31
厂商型号

BAS31

参数属性

BAS31 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-阵列;产品描述:DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

功能描述

SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-SPEED DIODE

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

53.09 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Tokyo Electron Ltd.
企业简称

TEL东电电子

中文名称

东京电子有限公司官网

原厂标识
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更新时间

2025-8-2 11:30:00

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BAS31规格书详情

SILICON PLANAR EPITAXIAL HIGH-SPEED DIODE

BAS29 single diode, BAS31 dual diodes in series and BAS35 dual diodes, common anodes.

产品属性

  • 产品编号:

    BAS31

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 阵列

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管配置:

    1 对串联

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):

    200mA

  • 速度:

    小信号 =< 200mA(Io),任意速度

  • 工作温度 - 结:

    150°C(最大)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    DIODE ARRAY GP 120V 200MA SOT23

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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